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  • 快速二極管美高森美 1200V 分立元器件現(xiàn)貨
    快速二極管美高森美 1200V 分立元器件現(xiàn)貨

    超快恢復二極管的反向恢復電荷進一步減小,使其trr可低至幾十納秒。20A以下的快恢復及超快恢復二極管大多采用TO-220封裝形式。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)看,可分成單管、對管(亦稱雙管)兩種。對管內(nèi)部包含兩只快恢復...

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  • 美高森美快速二極管模塊整流器模塊
    美高森美快速二極管模塊整流器模塊

    快恢復二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管不同,它是在P型、N型硅材料中間增加了基區(qū)I,構(gòu)成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄,反向恢復電荷很小,不僅大大減小了trr值,還降低了瞬態(tài)正向壓降,使管子能承受很高的反向...

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  • 艾賽斯整流器快恢復二極管半導體電子元器件
    艾賽斯整流器快恢復二極管半導體電子元器件

    快恢復二極管是指反向恢復時間很短的二極管(5us以下),工藝上多采用摻金措施,結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu),有的采用改進的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管(1-2V),反向耐壓多在1200V以下。從性...

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  • 快速二極管模塊 艾賽斯BYT260/BYT261整流器
    快速二極管模塊 艾賽斯BYT260/BYT261整流器

    快恢復二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通PN結(jié)二極管不同,它屬于PIN結(jié)型二極管,即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區(qū)I,構(gòu)成PIN硅片。因基區(qū)很薄,反向恢復電荷很小,所以快恢復二極管的反向恢復時間較短,正向...

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  • 艾賽斯IXYS 快恢復二極管 功率半導體模塊
    艾賽斯IXYS 快恢復二極管 功率半導體模塊

    快恢復二極管(簡稱FRD)是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復時間短特點的半導體二極管,主要應用于開關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中,作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用。 快恢復二極...

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  • 艾賽斯可控硅CLA100PD1200NA/CMA80PD1600NA
    艾賽斯可控硅CLA100PD1200NA/CMA80PD1600NA

    可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件。實際上,可控硅的功用不僅是整流,它還可以用作無觸點開關(guān)以快速接通或切斷電路,實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交...

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  • 全新現(xiàn)貨艾賽斯可控硅功率模塊晶閘管1200V
    全新現(xiàn)貨艾賽斯可控硅功率模塊晶閘管1200V

    可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備,如果超過此功率,因元件開關(guān)損可控硅的優(yōu)點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍;反應極快,在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷;無觸點運行,無火花、無噪音;...

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  • 美高森美IGBT模塊全新現(xiàn)貨半導體電子元器件
    美高森美IGBT模塊全新現(xiàn)貨半導體電子元器件

    IGBT發(fā)展趨向是高耐壓、大電流、高速度、低壓降、高可靠、低成本為目標的,特別是發(fā)展高壓變頻器的應用,簡化其主電路,減少使用器件,提高可靠性,降低制造成本,簡化調(diào)試工作等,都與IGBT有密切的內(nèi)在聯(lián)系...

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  • IXBN75N170 德國艾賽斯IGBT模塊/功率半導體
    IXBN75N170 德國艾賽斯IGBT模塊/功率半導體

    IGBT是第三代功率模塊,工作頻率1-20khz,應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動汽車、UPS、開關(guān)電源等。問世有十年多歷史,幾乎已替代一切其它功率器件,例SCR、...

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  • 威士MOS管FB190SA10場效應管功率模塊
    威士MOS管FB190SA10場效應管功率模塊

    在供電系統(tǒng)中,MOS管的主要作用的是穩(wěn)壓。MOS管芯片在制作完成之后,需要給MOSFET芯片加上一個外殼,即MOS管封裝。MOSFET芯片的外殼具有支撐、保護、冷卻的作用,同時還為芯片提供電氣連接和隔...

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