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MOS管導通特性，導通的意義是作為開關(guān)，相當于開關(guān)閉合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導通，適宜用于源極接地時的情況（低端驅(qū)動），只需柵極電壓抵達4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小...

MOS場效應(yīng)晶體管通常簡稱為場效應(yīng)管，是一種應(yīng)用場效應(yīng)原理工作的半導體器件。和普通雙極型晶體管相比擬，場效應(yīng)管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特性，場效應(yīng)管的品種很多，主要分為結(jié)...

MOS管是金屬(Metal)—氧化物(Oxide)—半導體(Semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(Insulator)—半導體。MOS管的Source和Drain是可以對調(diào)的...

MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金屬氧化物半導體型場效應(yīng)管，屬于場效應(yīng)管中的絕緣柵型。因此，M...

MOS具有以下特點：開關(guān)速度快、高頻率性能好、輸入阻抗高、驅(qū)動功率小、熱穩(wěn)定性優(yōu)良、無二次擊穿問題、全工作區(qū)寬、工作線性度高等。其最重要的有點就是能夠減少體積大小與重量，提供給設(shè)計者一種高速度、高功率...

mos管在電路中一般用作電子開關(guān)，在開關(guān)電源中常用MOS管的漏極開路電路，漏極原封不動地接負載，叫開路漏極，開路漏極電路中不管負載接多高的電壓，都能夠接通和關(guān)斷負載電流。是理想的模擬開關(guān)器件。這就是M...

IGBT最常見的應(yīng)用形式是模塊。大電流和大電壓環(huán)境多使用IGBT模塊，IHS數(shù)據(jù)顯示模塊和單管比例為3:1。而IPM是特殊的IGBT模塊，主要應(yīng)用于中小功率變頻系統(tǒng)。IGBT模塊主要有五種結(jié)構(gòu)。以2 ...

在電動汽車的“三電”方面，TESLA的Model S使用的三相異步驅(qū)動電機，其中每一相的驅(qū)動控制需要使用28顆塑封的IGBT芯片，三相共需要使用84顆IGBT芯片。算算總量，就可知需求的龐大。此外，充...

由于系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的問題，有時驅(qū)動板不能直接焊在或是螺絲擰在IGBT上，而是通過線纜連接到IGBT的輔助端子。連同驅(qū)動電路本身的輸出雜散電感和IGBT內(nèi)部的柵極綁定線雜散電感一起，構(gòu)成了柵極回路電感Lg。它...

IGBT開通性能而言，有兩個比較重要的表現(xiàn)指標：一個是開通時橋臂電流的變化率di/dt，另一個是器件從關(guān)斷狀態(tài)到導通狀態(tài)所產(chǎn)生的開通損耗。前者如果太高，續(xù)流二極管（FWD）也會有一個很快的反向恢復過程...